相变存储器

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  • 印刷时间:2010年02月01日
  • 开 本:16开
  • 纸 张:胶版纸
  • 包 装:精装
  • 是否套装:否
  • 国际标准书号ISBN:9787030267405
  • 丛书名:应用物理学丛书
作者:宋志棠 著出版社:科学出版社出版时间:2010年02月 
内容简介
本书依托国家“863”、“973”等项目,围绕PCRAM研发所涉及的基础科学与关键技术问题,对PCRAM的基本原理、PCRAM所用的材料体系、新型相变材料的理论与方法、PCRAM的关键单项工艺与集成工艺、器件单元结构改进、PCRAM所涉及的器件结构与芯片模拟、测试、芯片设计与制造等方面进行了较为详细的阶段性工作总结。
  本书适合材料、微电子等相关专业的研究生、科技人员和教学人员使用。
目  录
前言
第1章 绪论
1.1 半导体存储器简介
1.2 相变存储器概述
 1.3 相变存储器研究现状
 1.4 相变存储器的发展趋势
 参考文献
第2章 Ge2Sb2Te5相变材料及其改性
 2.1 Ge2Sb2Te5薄膜的制备与性能表征
 2.2 Ge2Sb2Te5薄膜的氮掺杂
 2.3 Ge2Sb2Te5薄膜的氧离子掺杂
 2.4 纳米复合相变材料
 参考文献
第3章 新型相变材料

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