低功耗处理器及片上系统设计

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  • 印刷时间:2012年07月01日
  • 开 本:16开
  • 纸 张:胶版纸
  • 包 装:平装
  • 是否套装:否
  • 国际标准书号ISBN:9787030342812
  • 丛书名:集成电路设计
作者:(瑞士)Christian Piguet主编出版社:科学出版社出版时间:2012年07月 
内容简介
本书着重叙述低功耗电路设计,第1部分概述低功耗电子技术和深亚微米下体硅SOI技术的进展、CMOS纳米技术中的漏电流及光互连技术等;第2部分阐述深亚微米设计模型、低功耗标准单元、低功耗超高速动态逻辑与运算电路,以及在结构、电路、器件的各个层面上的低功耗设计技术;第3部分主要针对CAD设计工具及低功耗设计流程进行阐述。本书的内容来自低功耗集成电路设计领域三十多位国际知名学者和专家的具体实践,包括学术界与工业界多年来的研究设计成果与经验,所介绍的技术可以直接应用于产品设计。
本书可以作为微电子、电子科学与技术、集成电路等领域的研发、设计人员及工科院校相关专业师生的实用参考资料。
作者简介
〔瑞士〕Christian Piguet
目  录
第1部分 概述
第1章 功率和工艺最小化技术
1.1 介绍
1.2 集成电路功耗
1.3 工艺选择和基本原理
1.4 通过衬底反偏控制泄漏电流
1.5 系统级性能
1.6 工艺、电压和温度变化
1.7 电路和微体系结构的变化影响
1.8 自适应技术与变化耐受性
1.9 动态电压缩放
1.10 结论
参考文献
第2章 低功率数字信号处理器
在线试读部分章节
第章
功耗和工艺最小化技术

概述
十几年来工艺的按比例缩小使集成电路具有了更高的集成度和性能但集成
电路功耗也持续提高由于晶体管制造尺寸缩小并且晶体管绝对尺寸减小需要
考虑器件更大的偏差直到最近增加的功耗主要是动态功耗更薄的氧化层要
求必须降低阈值电压以在更低的电源电压下维持器件性能然而漏源的泄漏电流
却呈指数关系增加更陡峭的掺杂分布和更高的电场强度增加了其他的泄漏导
致了亚

工艺的晶体管直流泄漏电流增加将限制未来芯片的性能和整体
功耗由结构的变化如更高的并行性以及更深的流水线造成的功耗可能会超过持
续增加的动态功耗后者意味着每级有更少的门电路因此需要更先进的电路技
术如多米诺逻辑这会增加动态功耗采用较少的逻辑级数增加了对工艺的敏感
程度最后由于尺寸的缩小要求更低的电源电压芯片和系统级的电源电压的变
化也越来越麻烦
本章重点讨论了器件偏差和泄漏增加对设计的影响该机制是工艺的直接结
果并且随着时间推移更为重要因此需要经过合理设计降低影响微处理器的频

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