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本书介绍半导体自旋电子学的发展历史、基本概念和研究成果，并展望了它未来的发展。引言介绍半导体自旋电子学的发展历史。第1章介绍半导体中磁离子性质、磁离子在晶格场中的分裂以及基态、低激发态能级特点。第2章介绍稀磁半导体的性质、巨Zeeman分裂效应和光学性质。第3章介绍铁磁半导体、铁磁相互作用理论和影响居里温度的因素。第4章介绍自旋电子的注入、Rashba效应、自旋通过异质界面的相干输运及自旋极化电子注入的实验和iN论。第5章介绍自旋弛豫、自旋反转的3大机制：EY、DP和FIBAP机制以及自旋弛豫的实验研究。第6～10章是研究专题，介绍一些**的研究成果。第6章介绍Rashba—Dresselhaus效应的理论基础和实验测定；第7章是自旋的光学响应，包括自旋分裂系统中光注入电子自旋引发的自旋光电流和电场导致电子自旋极化等；第8章是自旋相干电子的操控，包括电子自旋相干及空间运动、自旋霍尔效应、自旋流的产生及半导体中的自旋动力学等；第9章是自旋极化电子和磁畴的输运，包括磁性半导体二维电子气和量子点中的自旋输运、磁性半导体中的磁畴输运等；第10章是半导体量子点和量子线的自旋性质调控。本书适用于大学高年级学生、研究生和广大科技教学工作者。
内容简介
本书介绍了半导体自旋电子学的一些基本概念和国际国内的研究成果，其中包括：半导体中磁离子的性质、稀磁半导体中巨Zeeman分裂、铁磁半导体的居里温度、自旋极化电子的注入、自旋弛豫、Rashba效应和Dresselhaus效应、半导体电子自旋的光学响应、自旋极化电子和磁畴的输运、量子点和量子线中电子的自旋性质等。特别是介绍了最近国际上*研究成果——自旋相干电子的操控，包括：自旋相干电子的空间运动、自旋霍耳效应、自旋流的产生、自旋动力学等。
本书可供大学物理系高年级本科生、研究生和从事半导体自旋电子学研究的科研工作者使用。