21世纪高等学校规划教材 模拟电子技术

当前位置:首页 > 工业技术 > 电子 通信 > 21世纪高等学校规划教材 模拟电子技术

  • 版 次:1
  • 页 数:
  • 字 数:
  • 印刷时间:2009年08月01日
  • 开 本:16开
  • 纸 张:胶版纸
  • 包 装:平装
  • 是否套装:否
  • 国际标准书号ISBN:9787508392769
  • 丛书名:21世纪高等学校规划教材
作者:元增民 编著出版社:中国电力出版社出版时间:2009年08月 
编辑推荐
本书为21世纪高等学校规划教材。全书系统全面的介绍了模拟电子技术相关知识,本书可作为普通高等院校电气信息类专业教材,也可作为电子技术爱好者以及有关工程技术人员的参考用书。
 
内容简介
本书为21世纪高等学校规划教材。
全书共分11章,主要内容包括BJT原理、FET原理、BJT放大电路、FET放大电路、多级放大电路、差分放大与集成放大电路、反馈原理、集成运算放大器应用、振荡电路、直流稳压电源和模拟电子技术实验。书后附录Multisim应用简介。本书具有逻辑性强、实事求是、循序渐进等特色。
本书可作为普通高等院校电气信息类专业教材,也可作为电子技术爱好者以及有关工程技术人员的参考用书。
目  录
前言
主要符号表
绪论
第1章 晶体管
1.1 半导体PN结与晶体二极管
1.2 晶体三极管传输特性及其数学模型
1.3 三极管技术参数及测试应用
小结
习题一
第2章 场效管
2.1 结型场效管
2.2 金属氧化物半导体场效管
小结
习题二
在线试读部分章节
第2章 场效管
  晶体管有电流放大作用,说明它工作时需要前级控制电路提供一定的电流,消耗一定的功率。有没有不需要输入电流(即不消耗输入功率)的半导体器件呢?有。
  半导体掺杂后具有电导率的原因在于获得了大量的自由电子或空穴。具有大量自由电子的N型半导体与具有大量空穴的P型半导体结合形成PN结。PN结内电场失去了自由电子和空穴,其电导率自然得而复失。二极管反偏截止的原因就是PN结存在内电场,正向导通的原因则是PN结内电场消失。因此内电场在电路中也称为阻挡层或绝缘层。
  就是说,PN结内电场属于绝缘体,而内电场之外的区域才属于导体。通过控制电场厚度来调节绝缘层与导体层的比例,可以达到控制导电沟道电阻的目的。通过控制导电沟道电阻所形成的晶体管叫做场效应晶体管(Field Effect Transistor),简称场效管(FET)。利用对PN结施加控制电压改变其内电场厚度的原理而工作的场效管叫做结型场效应管(Junetion Field Effect Transistor),简称结型场效管(JFET)。
  对PN结施加控制电压可以改变内电场厚度,利用电压感应电荷原理也可以改变内电场厚度。利用电压感应电荷原理工作的场效管叫做金属氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),简称金属氧化物场效管(MOSFET)。
  场效管具有输入电阻高、抗辐射能力强、温度系数小、噪声小等优点。
  ……

 21世纪高等学校规划教材 模拟电子技术下载



发布书评

 
 

 

PDF图书网 

PDF图书网 @ 2017