氧化铝和氧化铝薄膜制备与表征实例

本书的特色在于同时介绍了AlN和ZnO两种薄膜材料，并详细探讨了以AlN为过渡层对ZnO薄膜的影响。本书与同类图书比较的优势在于详细介绍了AlN和ZnO两种材料的制备工艺，读者通过此书不但可以对这两种材料的制备方法有一个全面的了解，而且可以掌握一种以AlN为过渡层制备ZnO薄膜的方法，相信此书定会给读者带来很大的收获。 

本书以实例的形式，介绍了用磁控溅射法制备氧化锌（ZnO）薄膜、氮化铝（AlN）薄膜和ZnO/AlN复合膜的详细工艺和性能表征。全书共分8章，第1章主要介绍ZnO的晶体结构、能带结构、性能与应用；第2章主要介绍AlN的晶体结构、能带结构、性能与应用；第3章主要介绍ZnO和AlN薄膜的常用制备方法及性能表征手段；第4~6章分别介绍了AlN薄膜、ZnO薄膜、ZnO/AlN复合膜的制备方法与性能表征；第7章主要介绍不同溅射时间下AlN缓冲层对ZnO薄膜的影响；第8章主要介绍退火温度对N掺杂ZnO薄膜的影响。

赵祥敏，女，1979年2月出生，就职于牡丹江师范学院工学院，主要讲授电子技术基础、数字电路实验、模拟电路实验、信息技术和C语言程序设计、近代物理实验等课程，教学效果良好。
    工作期间共发表论文6篇，其中EI检索1篇，中文核心期刊2篇；出版教材2部；主持校级教改项目1项，参与科研和教改项目10余项；发明实用经济型专利3个；获牡丹江市第二十四届自然科学技术学术成果奖二等奖1项，获2012~2014年度牡丹江市自然科学技术学术成果奖一等奖1项，获牡丹江市优秀教育科研成果奖一等奖1项，获第十二届全国多媒体课件一等奖1项，获牡丹江师范学院优秀教案奖1项，获牡丹江师范学院教师课件大赛优秀奖2项。

目前，半导体材料已经成为 21 世纪信息社会高技术产业的基础材料。ZnO是继GaN之后出现的又一种宽禁带半导体材料，它有着与GaN相似的晶体结构，在某些方面具有比GaN更优越的性能。ZnO室温带隙约为3.37eV，激子结合能高达60meV，远大于其室温下的离化能26meV；ZnO的熔点高达1975℃，具有很高的化学和热稳定性，抗辐射能力强，远远超过GaN；ZnO薄膜是一种光学透明薄膜，纯ZnO及其掺杂薄膜具有优异的光电性能，用途广阔，而且原料易得、价廉、毒性小，是最有开发潜力的薄膜材料之一。自1998年ZnO薄膜的室温紫外受激发射报道以来，ZnO成为继GaN之后光电子领域内又一研究热点。
ZnO薄膜通常沿着[0001]方向优先生长，即具有c轴择优取向。在多晶和非晶衬底上通常只能得到六方柱状多晶薄膜；在单晶衬底（如c面或a面蓝宝石单晶片）上可以实现ZnO外延薄膜的生长。衬底不同会对ZnO外延薄膜的质量产生很大影响。
大量研究表明，在Si衬底上生长ZnO薄膜具有重要的意义，但是由于Si与ZnO的晶格常数及线膨胀系数的失配度均很大，难以实现高质量ZnO薄膜的外延生长，因此采用中间缓冲层是一种值得研究的工艺。由于AlN和ZnO具有相同的六方纤锌矿结构，而且两者晶格失配度较小，线膨胀系数相近，所以可作为生长ZnO薄膜的缓冲层，并可改善ZnO/AlN界面结构。
本书重点探讨了以AlN作为ZnO的缓冲层来制备和研究ZnO薄膜的性能，因此不但对ZnO做了详细的介绍，同时也对AlN做了详尽的介绍。

半导体材料是近年来研究的热点，已应用于诸多领域，并都有了很多的成果发表。本书的特点是以实例的形式，同时介绍了用磁控溅射法制备氧化锌（ZnO）薄膜、氮化铝（AlN）薄膜和ZnO/AlN复合膜的详细工艺和性能表征，并深入探讨了以AlN为过渡层对ZnO薄膜的影响。以AlN作为ZnO的缓冲层来制备和研究ZnO薄膜，是目前研究的方向，相信通过此书的介绍会给相关专业人员一个很好的借鉴。