模拟CMOS集成电路设计

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  • 版 次:1
  • 页 数:562
  • 字 数:877000
  • 印刷时间:2003年09月01日
  • 开 本:
  • 纸 张:胶版纸
  • 包 装:平装
  • 是否套装:否
  • 国际标准书号ISBN:9787560516066
作者:(美)拉扎维 著,陈贵灿 等译出版社:西安交通大学出版社出版时间:2003年02月 
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臼槭羌又荽笱迳柬斗中#║CLA)的新教材。该书组织严谨,内容丰富,循序渐进。在阐述原理和概念时,由浅入深,逐步分析。模拟电路设计需要直观、严密和创新。在阐述各种模拟电路的改进和新电路结构的产生时,着重观察和分析,不断地提出问题和解决问题,重视这三方面能力的培养。 
内容简介
本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念,同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深,理论与实际结合,提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响,第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。
作者简介
毕查德·拉扎维于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位,并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT&T贝尔实验室工作,随后又受聘于Hewlett-Packard实验室,直到1996年为止。1996年9月,他成为加利福尼亚大学洛杉矶分校
目  录
作者简介
中文版前言
译者序

致谢
第1章 模拟电路设计绪论
1.1 研究模拟电路的重要性
1.2 研究模拟集成电路的重要性
1.3 研究CMOS模拟集成电路的重要性
1.4 本书的特点
1.5 电路设计的一般概念
习题
第2章 MOS器件物理基础
2.1 基本概念

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