晶圆级3D IC工艺技术
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- 版 次：1
- 页 数：
- 字 数：
- 印刷时间：2016年10月01日
- 开 本：32开
- 纸 张：胶版纸
- 包 装：平装-胶订
- 是否套装：否
- 国际标准书号ISBN：9787515912035
作者:［新加坡］ 陈全胜 ［美］ 罗纳德·Ｊ·古特曼［美］ Ｌ·拉斐尔·赖夫出版社:中国宇航出版社出版时间:2016年10月
编辑推荐
| 本书是一部系统论述3D集成工艺技术的译著，内容涵盖前端工艺至后端工艺，详细介绍了各种3D集成技术的适用范围和局限性，列举了相关工艺的典型应用和潜在应用，并指出了这些关键工艺中存在的问题与挑战。本书适合从事立体集成、集成电路／微系统、先进封装技术研究的工程技术人员以及管理人员阅读和使用，同时也可作为高等院校相关专业师生的参考教材。 |
作者简介
| 1单光宝，男，博士生导师，研究员，现为航天九院第二届杰出青年、航天771所TSV立体集成技术负责人。先后承担了基础科研、自然科学基金重点项目、973子课题等多项*重点TSV立体集成项目，研制出国内首个辐射加固4层堆叠TSV SRAM样品，推动军用存储器由平面集成向立体集成的跨越发展。近年来，发表学术论文30余篇，申请TSV相关发明专利17项，6项已获授权。2吴龙胜，总师/研究员，安徽安庆，享受国务院特殊津贴，现为航天科技集团公司学科带头人、核高基总体组专家，从事集成电路、3D-IC设计工作。近年来，发表学术论文40余篇。3刘松，男，博士，陕西西安人，1988年8月出生。主要从事3D IC电学、热机械应力可靠性研究。近年来，近年来，发表学术论文近10篇，申请TSV相关发明专利近10项。 |
前 言
集成电路延续工艺线宽持续缩小和功能密度持续提升的发展方向面临着许多难以逾越的障碍，3D集成技术是突破平面集成电路发展屏障的有效途径。过去的几年里，在学术界和产业界的共同努力下，3D集成技术得以成功面世。目前，3D 集成按照应用领域可划分为不同的种类，每种技术都有望成为未来可行的技术方案。在本书出版之时，基于TSV 垂直互连的商业立体集成芯片已经问世。
撰写一本3D集成技术书籍的想法可追溯至一年前，当时与3D集成技术相关的文章及会议大量涌现（现在也很多）。但是，在这一新兴领域却缺乏相关的参考书籍。起初的想法是撰写一本书，但是我们很快意识到这是一项艰巨的任务，想在一本书中将不同类型的3D集成技术都阐述清楚将是一大挑战。经过重新审视，我们决定编译一本包含各大学、研究实验室和产业界专家的研究成果的书代替原有撰写计划。在仔细规划后，我们邀请了一支高水平的研究团队来撰写此书的各个章节，从计划出书，到撰写、编辑，再到付梓出版历时整整一年。
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