内容简介
20世纪60年代中期GaAs负电子亲和势半导体光电阴极的出现，有力地推动了以单晶半导体为基础的光电阴极的发展。除了负电子亲和势半导体光电阴极外，各种场助半导体光电阴极也有很大发展。与半导体工业的融合，使得光电阴极技术的发展在一定程度上摆脱了以经验为基础的局面，进入了以半导体带隙工程为基础的科学设计新阶段。
今天，半导体光电阴极不仅是用于光电探测和计量用的光电倍增管和夜视仪所用像增强器的关键光电转换部件，而且作为电子加速器、自由电子激光器、同步辐射光源、电子束光刻、电子显微镜、太赫兹辐射器以及X射线源等方面的高亮度电子源，也表现出明显的潜力和实用价值。半导体光电阴极的应用领域包括军事、安全、医学、天文、航空航天、生物化学以及光纤通信等诸多方面。
贾欣志编著的《半导体光电阴极》全面介绍半导体光电阴极的发展，各种半导体光电阴极的工作原理、制备技术、性能特点以及应用方面等。《半导体光电阴极》适合从事电子物理、电真空物理、光电成像和夜视技术领域及其他涉及光电阴极领域的科技人员、高等学校教师、研究生和高年级本科生阅读参考。