CMOS电路设计、布局与仿真(第2版·第2卷)（本科）

本书是CMOS集成电路设计领域的一部力作，是作者20多年教学和研究成果的总结，内容涵盖电路设计流程、EDA软件、工艺集成、器件、模型、数字和模拟集成电路设计等诸多方面，由基础到前沿，由浅入深,结构合理，特色鲜明。
　　本书对学生、科研人员和工程师各有所侧重。无论对于哪一种类型的读者而言，本书都是一本极好的参考书。

R．Jacob Baker博士，世界知名的电子设计专家。他曾在美国军方和国家实验室从事多年尖端电子设备的研制工作。并长期担任Micron．Amkor、Rendition等业界知名公司的技术顾问。在集成电路设计方面拥有200多项专利。1993年转入学界，任教于爱达荷大学，2000年加入博伊西州立大学

第2章 放大器
本章将注意力转向放大器。在每个运算放大器设计中几乎都采用了单级放大器。通过采用MOS管晶体管(被称为有源负载)代替无源电阻负载，可以显著节省芯片面积。而且，与无源电阻相比，有源负载可提供更大的阻值，从而得到更高的增益。
本章将研究几种不同类型的有源负载。栅一漏负载是将MOS管的栅极与漏极短接，用这种有源负载构成的放大器，带宽大、输出阻抗低，但缺点是增益小。电流源负载放大器具有很高的增益和输出阻抗，但带宽较小。当用外部反馈来设定放大器的增益时，更倾向于采用电流源负载放大器。本章将分析基本有源负载单级放大器，以及每种情况的折中考虑。另外，将结合多种结构的输出级(包括推挽放大器)，详细讨论共源共栅放大器的特性。
2.1 栅一漏短接有源负载
如图l—1所示，栅一漏短接MOS管(负载)是半个电流镜。这里，将由上一章介绍的直流工作条件和偏置，转到讨论交流小信号分析。
2.1.1 共源放大器
栅一漏短接MOS管(工作在非零漏极电流条件下)可以被看作阻值为l／gm的电阻[参见第1卷图9—18和式(9—25)]。图2—1中给出了4种可能的采用栅一漏短接负载的共源(CS)放大器。在每种结构中，假设Ml管和M2管都被偏置在饱和区。注意在每种结构中，放大MOS管(即非负载或栅一漏短接MOS管)的源极如何成为输入和输出的公共端。
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